[发明专利]NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910073181.3 申请日: 2019-01-25
公开(公告)号: CN109814888B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 杨志佳;冯元元;冷志源 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F8/61 分类号: G06F8/61
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 冯筠
地址: 518067 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置,方法包括以下步骤:将NFC参数写入静态随机存储器;加载并运行固件;固件读取写在静态随机存储器的NFC参数,并配置NandFlash控制器。本方案只需在固件加载工程运行时,提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中,固件运行起来后,便可从ISRAM获取NFC参数,通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数,SSD软件人员在调试NFC参数时,不会由于EFUSE一次性可编程的关系,浪费芯片,提高了芯片的容错能力,同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。
搜索关键词: nandflash 控制器 efuse 代替 方法 装置
【主权项】:
1.一种NandFlash控制器EFUSE代替方法,其特征在于,包括以下步骤:将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM;加载并运行固件;固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数,并配置NandFlash控制器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳忆联信息系统有限公司,未经深圳忆联信息系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910073181.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top