[发明专利]NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置有效
申请号: | 201910073181.3 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN109814888B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 杨志佳;冯元元;冷志源 | 申请(专利权)人: | 深圳忆联信息系统有限公司 |
主分类号: | G06F8/61 | 分类号: | G06F8/61 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 冯筠 |
地址: | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置,方法包括以下步骤:将NFC参数写入静态随机存储器;加载并运行固件;固件读取写在静态随机存储器的NFC参数,并配置NandFlash控制器。本方案只需在固件加载工程运行时,提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中,固件运行起来后,便可从ISRAM获取NFC参数,通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数,SSD软件人员在调试NFC参数时,不会由于EFUSE一次性可编程的关系,浪费芯片,提高了芯片的容错能力,同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。 | ||
搜索关键词: | nandflash 控制器 efuse 代替 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种NandFlash控制器EFUSE代替方法,其特征在于,包括以下步骤:将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM;加载并运行固件;固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数,并配置NandFlash控制器。
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