[发明专利]NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910073181.3 申请日: 2019-01-25
公开(公告)号: CN109814888B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 杨志佳;冯元元;冷志源 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F8/61 分类号: G06F8/61
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 冯筠
地址: 518067 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: nandflash 控制器 efuse 代替 方法 装置
【说明书】:

发明公开了一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置,方法包括以下步骤:将NFC参数写入静态随机存储器;加载并运行固件;固件读取写在静态随机存储器的NFC参数,并配置NandFlash控制器。本方案只需在固件加载工程运行时,提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中,固件运行起来后,便可从ISRAM获取NFC参数,通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数,SSD软件人员在调试NFC参数时,不会由于EFUSE一次性可编程的关系,浪费芯片,提高了芯片的容错能力,同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。

技术领域

本发明涉及到固态硬盘领域,特别是涉及到一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置。

背景技术

SSD产品出厂前,软件人员会制作出N套NFC的配置参数,然后将这些参数分别写到多块SSD控制器的EFUSE中,芯片上电,控制器会首先加载运行BootLoader,BootLoader再加载运行固件,调试人员会根据老化测试软件的运行情况,获取该参数下NFC的读写性能。读写性能最高的NFC参数,即最佳参数。

但由于EFUSE为一次性可编程存储器,一旦写入,即无法修改,在调试NFC参数的过程中,通常会对NandFlash控制器芯片造成浪费。

发明内容

为了解决上述现有技术的缺陷,本发明的目的是提供一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置。

为达到上述目的,本发明的技术方案是:

一种NandFlash控制器EFUSE代替方法,包括以下步骤:

将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM;

加载并运行固件;

固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数,并配置NandFlash控制器。

进一步地,所述加载并运行固件步骤,包括,

芯片上电,NandFlash控制器加载固件加载工程,固件加载工程运行;

固件加载工程加载并运行固件。

进一步地,所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数,并配置NandFlash控制器步骤,包括,

固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位;

若标志位为0,则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数;

若标志位为1,则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

进一步地,所述将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM步骤之前,包括,

预设置多套NFC参数。

进一步地,所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数,并配置NandFlash控制器步骤之后,包括,

运行固件,获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据;

比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据,获取最佳NFC参数。

本发明还提出了一种NandFlash控制器EFUSE代替装置,包括:

代替写入单元,用于将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM;

加载运行单元,用于加载并运行固件;

读取配置单元,用于固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数,并配置NandFlash控制器。

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