[发明专利]NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置

权利要求书

1.一种NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，包括以下步骤：

将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

加载并运行固件；

固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器；

所述加载并运行固件步骤，包括，

芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行；

固件加载工程加载并运行固件；

所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器步骤，包括，

固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位；

若标志位为0，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数；

若标志位为1，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

2.如权利要求1所述的NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，所述将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM步骤之前，包括，

预设置多套NFC参数。

3.如权利要求1所述的NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器步骤之后，包括，

运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据；

比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。

4.一种NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，包括：

代替写入单元，用于将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

加载运行单元，用于加载并运行固件；

读取配置单元，用于固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器；

所述加载运行单元包括工程加载模块和固件运行模块，

所述工程加载模块，用于芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行；

所述固件运行模块，用于通过固件加载工程加载并运行固件；

所述读取配置单元包括获取模块、第一读取模块和第二读取模块，

所述获取模块，用于通过固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位；

所述第一读取模块，在标志位为0时，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数；

所述第二读取模块，在标志位为1时，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

5.如权利要求4所述的NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，还包括预设单元，用于预设置多套NFC参数。

6.如权利要求4所述的NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，还包括：

性能获取单元，用于运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据；

性能比较单元，用于比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。