[发明专利]表膜和包括其的掩模版在审
| 申请号： | 201910066838.3 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110119064A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 文勇升;金熙范;丁昶荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/48 | 分类号： | G03F1/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及表膜和包括其的掩模版。提供待用于光刻工艺的表膜。该表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，该膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。 | ||
| 搜索关键词： | 表膜 第一表面 掺杂剂 掺杂区域 碳同素异形体 第二表面 光刻工艺 掺杂区 碳原子 掩模版 掩模 | ||
【主权项】：
1.表膜，包括：膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体，其中所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，所述掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区域包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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