[发明专利]表膜和包括其的掩模版

说明书

本发明涉及表膜和包括其的掩模版。提供待用于光刻工艺的表膜。该表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，该膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

相关申请的交叉引用

该专利申请要求2018年2月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0014337的优先权，将其内容通过引用全部引入本文中。

技术领域

发明构思涉及用于光刻工艺的表膜(蒙膜，pellicle)和包括其的掩模版(reticle)。

背景技术

表膜是设置在光掩模上以帮助保护光掩模免受外部污染材料(例如灰尘或抗蚀剂(光刻胶))的影响的薄的膜。表膜可制备为对光刻工艺中使用的光具有高的透射率并满足多种其他技术要求例如散热、强度、耐久性和/或稳定性特性。考虑光刻工艺中使用的光的波长来选择用于所述表膜的材料。然而，光刻工艺中使用的光的波长逐渐减小以满足对具有减小的线宽的半导体器件的需求或期望，并且这样的波长上的减小引起用于所述表膜的材料的变化。

发明内容

本发明构思的一些实例实施方式提供具有高的光学透射率和/或高的化学和机械耐久性的表膜。

本发明构思的一些实例实施方式提供包括高度耐久的表膜的掩模版。

根据本发明构思的一些实例实施方式，表膜可包括如下的膜，该膜的至少一部分包括碳同素异形体。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述膜包括包含掺杂剂(多种掺杂剂)的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及所述掺杂区域包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

根据本发明构思的一些实例实施方式，表膜可包括如下的膜，该膜的至少一部分包括碳同素异形体的一种。所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，所述膜包括包含掺杂剂(多种掺杂剂)的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，所述掺杂剂包括硼，并且所述掺杂区域中的硼的浓度从所述第一表面到所述掺杂区域的中点增加，并且从所述中点到所述第二表面减小。

根据本发明构思的一些实例实施方式，掩模版可包括：光掩模，所述光掩模包括掩模衬底和在所述掩模衬底上的掩模图案；包括第一表面和与该第一表面相反的第二表面的表膜，所述第一表面向外部暴露且所述第二表面面向所述光掩模；以及在所述光掩模和所述表膜之间的框架。所述表膜包括如下的膜，该膜的至少一部分包括碳同素异形体(多种碳同素异形体)，所述表膜包括包含掺杂剂(多种掺杂剂)的掺杂区域，该掺杂区域与所述第一表面相邻，并且所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种。

附图说明

通过结合附图的以下简要描述，将更清楚地理解实例实施方式。附图表示如本文中所述的非限制性的实例实施方式。

图1是示出根据本发明构思的一些实例实施方式的表膜的剖视图。

图2A是图1的表膜中的原子层的化学结构图。

图2B是图1的表膜的掺杂区域中的原子层的化学结构图。

图3是显示图1的表膜的掺杂区域中的掺杂剂浓度分布的图。

图4是示出根据本发明构思的一些实例实施方式的掩模版的剖视图。

图5和6是概念图，其各自示出使用根据本发明构思的一些实例实施方式的掩模版的曝光系统。

图7是示出使用没有表膜的掩模版的光刻工艺的概念图。

图8是示出使用具有表膜的掩模版的光刻工艺的概念图。