[发明专利]表膜和包括其的掩模版

权利要求书

1.表膜，包括：

膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体，

其中所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，

所述膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，所述掺杂区域与所述第一表面相邻，

所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种，以及

所述掺杂区域包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

2.如权利要求1所述的表膜，其中所述掺杂区域中的掺杂剂的浓度从所述第一表面到该掺杂区域的中点增加且从所述中点到所述第二表面减小。

3.如权利要求1所述的表膜，其中所述掺杂剂包括硼。

4.如权利要求1所述的表膜，其中所述掺杂区域中的所述掺杂剂的原子百分比范围为1原子％至3原子％，基于所述掺杂区域中的总原子数。

5.表膜，包括：

膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体，

其中所述膜具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，

所述膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，所述掺杂区域与所述第一表面相邻，

所述掺杂剂包括硼，以及

所述掺杂区域中的硼的浓度从所述第一表面到所述掺杂区域的中点增加且从所述中点到所述第二表面减小。

6.如权利要求1或5所述的表膜，其中所述膜包括二维碳原子层，其中所述二维碳原子层的至少一部分包括碳同素异形体之一。

7.如权利要求1或5所述的表膜，其中所述掺杂剂的至少一些彼此键合。

8.如权利要求1或5所述的表膜，其中所述碳同素异形体包括石墨烯、石墨、多孔碳、碳纳米线、碳纳米管或金刚石的至少一种。

9.如权利要求5所述的表膜，其中所述掺杂区域包括：

在硼原子和碳原子之间的至少一个B-C键；以及

在硼原子之间的至少一个B-B键，其中

所述掺杂区域中的所述至少一个B-C键对所述至少一个B-B键和所述至少一个B-C键的总和的比率大于所述至少一个B-B键对所述至少一个B-B键和所述至少一个B-C键的总和的比率。

10.如权利要求5所述的表膜，其中所述掺杂区域中的硼的原子百分比范围为1原子％至3原子％，基于所述掺杂区域中的总原子数。

11.如权利要求1或5所述的表膜，其中所述膜具有范围5nm至100nm的厚度。

12.如权利要求1或5所述的表膜，其中所述第一表面和所述第二表面都暴露于空气。

13.掩模版，包括：

包括掩模衬底和在所述掩模衬底上的掩模图案的光掩模；

包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的表膜，所述第一表面向外部暴露并且所述第二表面面向所述光掩模；以及

在所述光掩模和所述表膜之间的框架，其中

所述表膜包括如下的膜，所述膜的至少一部分包括碳同素异形体，

所述表膜包括包含掺杂剂的掺杂区域，所述掺杂区域与所述第一表面相邻，并且

所述掺杂剂包括硼或氮的至少一种。

14.如权利要求13所述的掩模版，其中所述掺杂区域包括所述掺杂剂的至少一种的原子与碳原子之间的键。

15.如权利要求13所述的掩模版，其中所述掺杂区域包括所述掺杂剂的至少两个原子之间的键。

16.如权利要求13所述的掩模版，其中所述掺杂区域中的掺杂剂的浓度从所述第一表面到所述掺杂区域的中点增加且从所述中点到所述第二表面减小。