[发明专利]半导体晶片

摘要

一种用于在半导体晶片的前侧上的层的沉积期间保持具有定向缺口的半导体晶片的基座；所述基座包括：放置表面，用于放置半导体晶片的后侧的边缘区域；放置表面的台阶形外定界；和放置表面的外定界的凹口，以便将半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上。一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，其中基座被在方法中被使用。

主权项

1.一种由单晶硅制成的半导体晶片，所述半导体晶片具有直径、前侧、后侧、边缘区域、所述边缘区域中的定向缺口、以及所述前侧上的由硅制成的外延层，其中所述外延层的厚度不小于1.5μm且不大于5μm，其特征在于，所述半导体晶片的在所述定向缺口的区域中的由ESFQR表示的局部平坦度不小于5nm且不大于20nm。