[发明专利]半导体晶片

说明书

一种用于在半导体晶片的前侧上的层的沉积期间保持具有定向缺口的半导体晶片的基座；所述基座包括：放置表面，用于放置半导体晶片的后侧的边缘区域；放置表面的台阶形外定界；和放置表面的外定界的凹口，以便将半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上。一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，其中基座被在方法中被使用。

本申请是2016年10月14日提交的发明名称为“用于保持具有定向缺口的半导体晶片的基座、用于在半导体晶片上沉积层的方法、和半导体晶片”的申请号为201610899163.7的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的主题是基座，所述基座用于在半导体晶片的前侧上沉积层的期间保持具有定向缺口的半导体晶片。基座具有放置表面和所述放置表面的台阶形外定界，所述放置表面用于将半导体晶片放置在半导体晶片的后侧的边缘区域中。本发明的主题还是一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，该基座在所述方法中被使用。

背景技术

提及类型的基座在各种实施例中是已知的。在DE 198 47 101 C1中描述了一个实施例，其中放置表面是形成基座的环的部件。在根据EP 1 460 679 A1的实施例中，基座额外地具有底部并因此是盘的形式。放置表面由在盘边缘上的凸出部分形成。在DE 10 2006055 038 A1中示出了一个实施例，其中半导体晶片位于环的凹陷部分中，并且环位于基盘上。

当在半导体晶片的前侧上沉积层时，特别做出努力以生成具有均匀层厚度的层且以使该层的可用表面尽可能近地向半导体晶片的边缘延伸。当试图实现该规范时，面临的问题是平坦度问题发生在半导体晶片的定向缺口的区域中，造成问题的原因是半导体晶片的后侧上的较厚的层厚度和材料沉积。为了解决这个问题，在US 2012/0270407 A1和JP2013-51290中提出了基座的放置表面在一个点处向内扩大，并且半导体晶片被平躺在基座上使得定向缺口在该点处靠在放置表面上。

US 2013/0264690 A1涉及具有外延层的半导体晶片、特别是在半导体晶片的边缘区域中的平坦度的改进。由ESFQR_mean表示且考虑到1mm的边缘排除区域的前侧的边缘区域中的局部几何形状不大于100nm。

发明内容

尽管引用的现有技术，用于改进涂覆的半导体晶片在定向缺口的区域中的局部平坦度的需求仍然存在。

本发明的目的是提出一种解决方案，该解决方案大大地减少了在定向缺口的区域中的过量的层厚度和沉积在半导体晶片背侧上定向缺口的区域中的过量的材料。

该目的通过以下的基座被实现：所述基座用于在半导体晶片的前侧上的层的沉积期间保持具有定向缺口的半导体晶片；所述基座包括：

放置表面，用于放置半导体晶片的后侧的边缘区域；

放置表面的台阶形外定界；和

放置表面的外定界的凹口，以便将半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上。

放置表面的外定界的凹口向内定向，且优选地具有与放置在基座上的半导体晶片的定向缺口的形状互补的形状。放置表面的外定界的凹口的存在具有确保在半导体晶片的外边缘和放置表面的外定界之间的均匀距离的效果。该距离在定向缺口的区域中和在定向缺口外的区域中基本相同。这对沉积气体的流行为有影响。流图像在定向缺口的区域中和在定向缺口外的区域中基本相同。材料沉积在半导体晶片的边缘区域中因此基本上是均匀的。

放置表面和放置表面的台阶形外定界形成具有几乎均匀直径的接近圆形的容窝，所述容窝用于容纳具有定向缺口的半导体晶片。由于放置表面的外定界的凹口，放置表面的外定界的直径在该位置处比在其余位置处更小。