[发明专利]半导体晶片

权利要求书

1.一种由单晶硅制成的半导体晶片，所述半导体晶片具有直径、前侧、后侧、边缘区域、所述边缘区域中的定向缺口、以及所述前侧上的由硅制成的外延层，其中所述外延层的厚度不小于1.5μm且不大于5μm，其特征在于，所述半导体晶片的在所述定向缺口的区域中的由ESFQR表示的局部平坦度不小于5nm且不大于20nm。

2.如权利要求1中所述的半导体晶片，其特征在于，所述半导体晶片具有不小于200mm的直径。

3.如权利要求1或权利要求2中所述的半导体晶片，其特征在于，在所述半导体晶片的后侧上的材料沉积是在包围所述定向缺口的矩形评估区上，其中，所述材料沉积的厚度不大于15nm。