[发明专利]一种刻蚀方法及大马士革结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种刻蚀方法及大马士革结构的制作方法，在半导体衬底上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后，首先利用第一刻蚀选择比的刻蚀气体进行第一次刻蚀以刻蚀部分厚度的所述第二氧化硅层，再利用刻蚀选择比相对较高的第二刻蚀选择比的刻蚀气体进行第二次刻蚀以刻蚀剩余的所述第二氧化硅层并暴露出所述氮化硅层；其中，进行所述第一次刻蚀的所述第二氧化硅层的厚度大于进行所述第二次刻蚀的所述第二氧化硅层的厚度。由于进行第二次刻蚀时，刻蚀气体对所述第二氧化硅层的刻蚀速率大于对所述氮化硅层的刻蚀速率，不容易发生过刻蚀的情况，因此不会导致后续形成的沟槽的底部拐角处出现凹陷，由此解决了在通过现有技术所形成的大马士革结构中填充金属插塞，金属插塞表面形貌差的问题。

主权项

1.一种刻蚀方法，用于大马士革工艺中，其特征在于，所述刻蚀方法包括：在半导体衬底上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后，利用第一刻蚀选择比的刻蚀气体进行第一次刻蚀，去除部分厚度的所述第二氧化硅层以形成开口；以及，沿着所述开口利用第二刻蚀选择比的刻蚀气体进行第二次刻蚀，去除所述开口内剩余厚度的所述第二氧化硅层以暴露出所述氮化硅层；其中，所述第一次刻蚀去除的所述第二氧化硅层的厚度大于所述第二次刻蚀去除的所述第二氧化硅层的厚度，所述第一刻蚀选择比的刻蚀气体对氮化硅的选择比小于所述第二刻蚀选择比的刻蚀气体对氮化硅的选择比。