[发明专利]一种刻蚀方法及大马士革结构的制作方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，用于大马士革工艺中，其特征在于，所述刻蚀方法包括：

在半导体衬底上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后，利用第一刻蚀选择比的刻蚀气体进行第一次刻蚀，去除部分厚度的所述第二氧化硅层以形成开口；以及，沿着所述开口利用第二刻蚀选择比的刻蚀气体进行第二次刻蚀，去除所述开口内剩余厚度的所述第二氧化硅层以暴露出所述氮化硅层；

其中，所述第一次刻蚀去除的所述第二氧化硅层的厚度大于所述第二次刻蚀去除的所述第二氧化硅层的厚度，所述第一刻蚀选择比的刻蚀气体对氮化硅的选择比小于所述第二刻蚀选择比的刻蚀气体对氮化硅的选择比。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一次刻蚀去除的所述第二氧化硅层的厚度占原始所述第二氧化硅层厚度的70％～95％。

3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一次刻蚀去除的所述第二氧化硅层的厚度为所述第二刻蚀去除的所述第二氧化硅层的厚度为

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀选择比的刻蚀气体的刻蚀选择比为7.5：1～8.5：1。

5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀选择比的刻蚀气体的刻蚀选择比为9：1～10：1。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀选择比的刻蚀气体为C₄F₈。

7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀选择比的刻蚀气体为C₅F₈。

8.一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；

依次刻蚀所述第二氧化硅层和所述氮化硅层以形成第一沟槽；

形成一金属层，所述金属层填充所述第一沟槽，并且所述金属层的上表面与所述第二氧化硅层的上表面齐平；

形成一介质层，所述介质层覆盖所述金属层及所述第二氧化硅层；

在所述介质层中依次形成第二沟槽和通孔，所述第二沟槽和所述通孔暴露出所述金属层；

其中，采用如权利要求1～7中任一项所述的刻蚀方法对所述第二氧化硅层进行刻蚀。

9.根据权利要求8所述的大马士革结构的制作方法，其特征在于，在所述介质层中依次形成第二沟槽和通孔之前，还包括在所述介质层上形成金属掩模层，以所述金属掩模层为掩模对所述介质层进行刻蚀以形成所述第二沟槽和通孔。

10.根据权利要求8所述的大马士革结构的制作方法，其特征在于，所述金属层包括从下至上依次沉积的钛层、氮化钛层和钨层。