[发明专利]改善半导体器件良率的方法有效
| 申请号： | 201910057328.X | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109768010B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11531 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善半导体器件良率的方法，提供一衬底，在所述衬底上依次形成介电层、浮栅层以及层间介质层；在所述层间介电层的表面以及所述浅沟槽隔离的表面形成掩膜层；所述衬底包括中心区域和边缘区域，所述掩膜层在所述边缘区域的厚度大于所述掩膜层在衬底中心和所述中心区域的厚度；以及依次刻蚀所述掩膜层和部分所述浅沟槽隔离直至所述浅沟槽隔离达到高度标准。本发明提供的改善半导体器件良率的方法最终使得在所述衬底的边缘区域剩余浅沟槽隔离的高度和所述衬底的中心区域剩余浅沟槽隔离的高度都达到标准，避免了半导体器件失效，改善了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善半导体器件良率的方法，其特征在于，包括，提供一衬底，在所述衬底上依次形成介电层、浮栅层以及层间介质层；所述衬底、介电层、浮栅层以及层间介质层中形成有浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离的表面与所述层间介质层的表面齐平；在所述层间介电层的表面以及所述浅沟槽隔离的表面形成掩膜层；所述衬底包括中心区域和边缘区域，所述掩膜层在所述边缘区域的厚度大于所述掩膜层在衬底中心和所述中心区域的厚度；以及依次刻蚀所述掩膜层和部分所述浅沟槽隔离直至所述浅沟槽隔离达到高度标准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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