[发明专利]改善半导体器件良率的方法

权利要求书

1.一种改善半导体器件良率的方法，其特征在于，包括，

提供一衬底，在所述衬底上依次形成介电层、浮栅层以及层间介质层；所述衬底、介电层、浮栅层以及层间介质层中形成有浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离的表面与所述层间介质层的表面齐平；

采用高密度等离子体气相沉积的方法，在所述层间介质层的表面以及所述浅沟槽隔离的表面形成掩膜层，所述掩膜层的材质包括氧化硅；所述衬底包括中心区域和边缘区域，所述掩膜层在所述边缘区域的厚度大于所述掩膜层在衬底中心和所述中心区域的厚度；以及

依次刻蚀所述掩膜层和部分所述浅沟槽隔离直至所述浅沟槽隔离达到高度标准。

2.如权利要求1所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，所述边缘区域包括所述衬底中距离衬底外边界的距离为20～30mm的区域；所述中心区域包括所述衬底中距离所述衬底中心的距离为70～80mm的区域。

3.如权利要求1所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，在高密度等离子体反应室内进行所述高密度等离子体气相沉积；通过向高密度等离子体反应室内提供气体混合物以形成所述掩膜层。

4.如权利要求3所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，所述高密度等离子体反应室包括多个气体输入口，所述气体输入口的位置与所述中心区域或所述边缘区域的位置对应。

5.如权利要求4所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，通过对应所述中心区域的所述气体输入口向所述中心区域提供所述气体混合物；通过对应所述边缘区域的所述气体输入口向所述边缘区域提供所述气体混合物。

6.如权利要求5所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，通过控制所述中心区域处的所述气体混合物供给量调节所述中心区域形成的掩膜层厚度。

7.如权利要求5所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，通过控制所述边缘区域处的所述气体混合物供给量调节所述边缘区域形成的掩膜层厚度。

8.如权利要求3所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，所述气体混合物包括四氢化硅气体和氧气。

9.如权利要求1所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，所述边缘区域形成的所述掩膜层的厚度范围为880～920Å；所述中心区域形成的所述掩膜层的厚度范围为780～820Å。

10.如权利要求1所述的改善半导体器件良率的方法，其特征在于，刻蚀所述掩膜层和部分所述浅沟槽隔离时，所述边缘区域的刻蚀速率大于所述中心区域的刻蚀速率。