[发明专利]一种擦除增强型NORD闪存及其制备方法

摘要

本发明公开一种擦除增强型NORD闪存及其制备方法。擦除增强型NORD闪存，包括：硅基衬底，其上布置相邻的第一浮栅区域和第二浮栅区域，并呈纵向由下向上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层、浮栅侧墙，以及在第一浮栅区域和第二浮栅区域之相邻侧均远离字线多晶硅层一侧分别依次设置的位移侧墙氧化硅层、位移侧墙氮化硅层、遂穿氧化层，其中，位于浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置。本发明浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置，增强了浮栅多晶硅层与字线多晶硅层之间的电场强度，使得擦除性能大幅度提升，同时“十”字结构具有可生产性、适用性，值得业界推广使用。

主权项

1.一种擦除增强型NORD闪存，包括：硅基衬底，所述硅基衬底上布置相邻的第一浮栅区域和第二浮栅区域，并在所述硅基衬底上呈纵向由下向上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层、浮栅侧墙，以及在所述第一浮栅区域和所述第二浮栅区域之相邻侧均远离字线多晶硅层一侧分别依次设置的位移侧墙氧化硅层、位移侧墙氮化硅层、遂穿氧化层，其特征在于，位于所述浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置。