[发明专利]一种擦除增强型NORD闪存及其制备方法

权利要求书

1.一种擦除增强型NORD闪存，包括：硅基衬底，所述硅基衬底上布置相邻的第一浮栅区域和第二浮栅区域，并在所述硅基衬底上呈纵向由下向上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层、浮栅侧墙，在所述第一浮栅区域与字线多晶硅层相邻的一侧上依次远离字线多晶硅层设置的位移侧墙氧化硅层、位移侧墙氮化硅层、遂穿氧化层，以及在所述第二浮栅区域与字线多晶硅层相邻的一侧上依次远离字线多晶硅层设置的位移侧墙氧化硅层、位移侧墙氮化硅层、遂穿氧化层，其特征在于，位于所述浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置。

2.如权利要求1所述擦除增强型NORD闪存，其特征在于，所述极间介质层为二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的组合膜层。

3.如权利要求1所述擦除增强型NORD闪存，其特征在于，所述位移侧墙氧化层的厚度为300～500埃。

4.如权利要求1所述擦除增强型NORD闪存，其特征在于，所述位移侧墙氮化硅层的厚度为150～200埃。

5.一种如权利要求1所述擦除增强型NORD闪存的制备方法，其特征在于，所述擦除增强型NORD闪存之制备方法，包括：

执行步骤S1：提供硅基衬，所述硅基衬底上包括相邻布置的第一浮栅区域和第二浮栅区域，并在所述硅基衬底上呈纵向由下向上依次沉积耦合氧化物层、浮栅多晶硅层；

执行步骤S2：进行有源区、浅沟槽隔离刻蚀；

执行步骤S3：极间介质层、控制栅多晶硅层沉积；

执行步骤S4：浮栅氮化硅层沉积；

执行步骤S5：对所述浮栅氮化硅层进行曝光、显影、刻蚀；

执行步骤S6：浮栅侧墙沉积，并进行回刻；

执行步骤S7：控制栅多晶硅层刻蚀、浮栅多晶硅层刻蚀。

6.如权利要求5所述擦除增强型NORD闪存的制备方法，其特征在于，所述擦除增强型NORD闪存之制备方法，还包括：

执行步骤S01：在所述第一浮栅区域和所述第二浮栅区域之间，并位于所述浮栅侧墙、控制栅多晶硅层、极间介质层、浮栅多晶硅层之外表面依次沉积位移侧墙氧化层和位移侧墙氮化硅层；

执行步骤S02：对所述位移侧墙氧化层和位移侧墙氮化硅层进行回刻，直至暴露所述浮栅多晶硅层；

执行步骤S03：对所述浮栅多晶硅层进行回刻，直至暴露所述硅基衬底；

执行步骤S04：对所述位移侧墙氧化层进行湿法刻蚀，使得位移侧墙氮化硅层之临近所述浮栅多晶硅层的一端形成趋于字线多晶硅层外侧的凹陷；

执行步骤S05：在所述第一浮栅区域和所述第二浮栅区域之相邻侧外表面进行遂穿氧化层沉积；

执行步骤S06：在所述遂穿氧化层外表面进行字线多晶硅层沉积，并进行化学机械研磨，使得所述浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置。

7.如权利要求6所述擦除增强型NORD闪存，其特征在于，所述位移侧墙氧化层的厚度为300～500埃。

8.如权利要求6所述擦除增强型NORD闪存，其特征在于，所述位移侧墙氮化硅层的厚度为150～200埃。