[发明专利]一种擦除增强型NORD闪存及其制备方法

说明书

本发明公开一种擦除增强型NORD闪存及其制备方法。擦除增强型NORD闪存，包括：硅基衬底，其上布置相邻的第一浮栅区域和第二浮栅区域，并呈纵向由下向上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层、浮栅侧墙，以及在第一浮栅区域和第二浮栅区域之相邻侧均远离字线多晶硅层一侧分别依次设置的位移侧墙氧化硅层、位移侧墙氮化硅层、遂穿氧化层，其中，位于浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置。本发明浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置，增强了浮栅多晶硅层与字线多晶硅层之间的电场强度，使得擦除性能大幅度提升，同时“十”字结构具有可生产性、适用性，值得业界推广使用。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种擦除增强型NORD闪存及其制备方法。

背景技术

闪存由于其具有高密度、低价格，以及电可编程，擦除的优点已被广泛作为非易失性记忆体应用的最优选择。一般而言，浮栅型闪存都有着类似的原始单元架构，它们都有层叠的栅极结构，该栅极结构包括浮栅和至少覆盖浮栅的控制栅。其中，所述控制栅通过耦合以控制浮栅中电子的存储与释放。

Nord闪存擦除是发生在浮栅(Floating Gate,FG)与字线(Word Line,WL)之间的福勒诺海(Fowler Nordheim,FN)遂穿，通过在所述字线与控制栅(Control Gate,CG)上施加高低电压，使得浮栅与字线之间形成较高的电势差与电场强度，浮栅中存储的电子遂穿通过遂穿氧化层，使浮栅上的电势由负变正，从而改变存储状态，即“0”、“1”之间的转变。

作为本领域技术人员，容易理解的，所述浮栅顶角的形状对擦除区遂穿氧化层之电场的影响很大，较钝的浮栅顶角势必会降低电场强度，使得擦除性能变差。寻求一种擦除增强型的存储器件结构及其制备方法，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种擦除增强型NORD闪存及其制备方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，现有浮栅顶角的形状对擦除区遂穿氧化层之电场的影响很大，较钝的浮栅顶角势必会降低电场强度，使得擦除性能变差等缺陷提供一种擦除增强型NORD闪存。

本发明之又一目的是针对现有技术中，现有浮栅顶角的形状对擦除区遂穿氧化层之电场的影响很大，较钝的浮栅顶角势必会降低电场强度，使得擦除性能变差等缺陷提供一种擦除增强型NORD闪存的制备方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种擦除增强型NORD闪存，所述擦除增强型NORD闪存，包括：硅基衬底，所述硅基衬底上布置相邻的第一浮栅区域和第二浮栅区域，并在所述硅基衬底上呈纵向由下向上依次沉积耦合氧化层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层、浮栅侧墙，以及在所述第一浮栅区域和所述第二浮栅区域之相邻侧均远离字线多晶硅层一侧分别依次设置的位移侧墙氧化硅层、位移侧墙氮化硅层、遂穿氧化层，其特征在于，位于所述浮栅多晶硅层顶角处的字线多晶硅层呈环绕型的“十”字结构设置。

可选地，所述极间介质层为二氧化硅-氮化硅-二氧化硅的组合膜层。

可选地，所述位移侧墙氧化层的厚度为300～500埃。

可选地，所述位移侧墙氮化硅层的厚度为150～200埃。

为实现本发明之又一目的，本发明提供一种擦除增强型NORD闪存的制备方法，所述擦除增强型NORD闪存之制备方法，包括：

执行步骤S1：提供硅基衬，所述硅基衬底上包括相邻布置的第一浮栅区域和第二浮栅区域，并在所述硅基衬底上呈纵向由下向上依次沉积耦合氧化物层、浮栅多晶硅层；

执行步骤S2：进行有源区、浅沟槽隔离刻蚀；

执行步骤S3：极间介质层、控制栅多晶硅层沉积；