[发明专利]双分离栅闪存的参考电流产生方法有效
| 申请号： | 201910056313.1 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109859782B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双分离栅闪存的参考电流产生方法，是用不少于两行的参考单元，奇数行和偶数行各取其中4个或者8个，甚至更多的单元做平均，选中奇数行存储单元时，用奇数行的参考单元产生参考电流；选中偶数行时，用偶数行的参考单元产生参考电流，这样就可以消除奇数行和偶数行的差别带来的误差。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 闪存 参考 电流 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双分离栅闪存的参考电流产生方法，在闪存的存储阵列中，包含有多根位线构成列，以及多根控制栅线、字线、参考电流线构成行；所述行、列之间具有交叉节点，闪存的存储单元位于该交叉节点上，形成闪存的数据进出通道；其特征在于：在所述阵列的行中采用不少于两行的参考电流线，形成分为奇数行及偶数行的参考电流线；所述阵列中还包含有多根参考位线，所述每一根参考位线均与此奇数行及偶数行的参考电流线相连。
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