[发明专利]双分离栅闪存的参考电流产生方法

权利要求书

1.一种双分离栅闪存的参考电流产生方法，在闪存的存储阵列中，包含有多根位线构成列，以及多根控制栅线、字线、参考电流线构成行；所述行、列之间具有交叉节点，闪存的存储单元位于该交叉节点上，形成闪存的数据进出通道；

其特征在于：在所述阵列的行中采用不少于两行的参考电流线，形成分为奇数行及偶数行的参考电流线；所述阵列中还包含有多根参考位线，所述的多根参考位线中，每一根参考位线均与此奇数行及偶数行的参考电流线相连；

选取参考电流的方法是，选中奇数行存储单元时，用奇数行的参考单元产生参考电流；选中偶数行时，用偶数行的参考单元产生参考电流。

2.如权利要求1所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述的参考位线为4个或者8个，或者更多，每根参考位线均与所述不少于两行的参考电流线连接。

3.如权利要求1所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述的闪存在编程时，采用多晶硅反转的隧道效应方式。

4.如权利要求1所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述的闪存的存储阵列中，包含多个存储单元，每个存储单元有两个晶体管组成；所述的每个存储单元的两个晶体管，由于两个晶体管不完全对称，在进行编程操作时，两个晶体管不能完全同步而出现偏差。

5.如权利要求1或4所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述的控制栅线连接存储单元的控制栅区，所述的位线分别连接所述存储单元的其中一个晶体管的源区及另一个晶体管的漏区；所述的字线连接两晶体管的字线区。

6.如权利要求1所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：所述参考电流线的选中，是与存储单元的选中信号共用。

7.如权利要求2所述的双分离栅闪存的参考电流产生方法，其特征在于：通过更多的参考位线获取多个参考电流并取得平均值，以消除奇数行和偶数行的差别带来的误差。