[发明专利]双分离栅闪存的参考电流产生方法有效
| 申请号： | 201910056313.1 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109859782B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 闪存 参考 电流 产生 方法 | ||
【说明书】：
本发明公开了一种双分离栅闪存的参考电流产生方法，是用不少于两行的参考单元，奇数行和偶数行各取其中4个或者8个，甚至更多的单元做平均，选中奇数行存储单元时，用奇数行的参考单元产生参考电流；选中偶数行时，用偶数行的参考单元产生参考电流，这样就可以消除奇数行和偶数行的差别带来的误差。
技术领域
本发明涉及半导体器件设计及制造领域，具体是指一种双分离栅闪存的参考电流产生方法。
背景技术
现有的双分离栅闪存的一个存储单元的结构大致如图1所示，图中包含a、b两个晶体管单元，在理论设计上，a、b两个单元是完全相同的，两单元中间为字线WL，两个单元分别包含控制栅CG0、CG1，以及位线BL0、BL1。由于制造工艺上的原因，a、b两个单元不可能做到完全的对称，这就导致了两个单元在操作性能上的差异。比如在某一个存储单元的操作如下：
a单元的操作：
Read Program Erase WL 4.9 1.5 8 CG0 0 8 -7 CG1 4.5 5 -7 BL0 0 5 0 BL1 0.8 Idp 0
b单元的操作：
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