[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板有效
| 申请号： | 201910051229.0 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109786257B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张合静 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上依次沉积和图案化形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层；在所述保护层上沉积和图案化形成第二金属氧化物半导体层，对图案化后的所述第二金属氧化物半导体层的一部分导体化处理，导体化处理的第二金属氧化物半导体层为阵列基板的像素电极。本发明还公开了一种阵列基板和显示面板。本发明节省了薄膜晶体管制作的工序，降低制作成本，提高制作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上依次沉积和图案化形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层；在所述保护层上沉积和图案化形成第二金属氧化物半导体层，对图案化后的所述第二金属氧化物半导体层的一部分导体化处理，导体化处理的第二金属氧化物半导体层为像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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