[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上依次沉积和图案化形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层；在所述保护层上沉积和图案化形成第二金属氧化物半导体层，对图案化后的所述第二金属氧化物半导体层的一部分导体化处理，导体化处理的第二金属氧化物半导体层为阵列基板的像素电极。本发明还公开了一种阵列基板和显示面板。本发明节省了薄膜晶体管制作的工序，降低制作成本，提高制作效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

这里的陈述仅提供与本申请有关的背景信息，而不必然地构成现有技术。

随着科技水平的不断发展，越来越多的电子产品进入人们的日常生活和工作当中，而这些电子产品基本都具有显示屏。显示屏的制作每道制程都需要一道光罩来配合完成，例如，显示屏中的阵列基板的像素电极需要单独一道制程来完成。

上述的阵列基板的制作方式每道制程都需要一道光罩来配合完成，导致工序复杂，制作效率差。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板，旨在实现减少阵列基板制作工序，提高制作效率的目的。

为实现上述目的，本发明一方面提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管的制作包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上依次沉积和图案化形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层；

在所述保护层上图案化形成第二金属氧化物半导体层，对图案化后的所述第二金属氧化物半导体层的一部分导体化处理，导体化处理的第二金属氧化物半导体层为阵列基板的像素电极。

可选地，所述在所述保护层上图案化形成第二金属氧化物半导体层，对图案化后的所述第二金属氧化物半导体层的一部分导体化处理的步骤包括：

在所述保护层上涂布第二金属氧化物半导体层，图案化所述第二金属氧化物半导体层；

在像素电极对应区域的所述第二金属氧化物半导体层进行等离子掺杂处理。

可选地，所述在像素电极对应区域的所述第二金属氧化物半导体层进行等离子掺杂处理的步骤包括：

在所述图案化后的金属氧化物层上形成光阻层，其中所述光阻层在所述第二金属氧化物半导体层对应于像素电极的第一区域的厚度为第一厚度；在对应于非像素电极的第二区域的厚度为第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度；

进行第一次蚀刻，去除所述第一区域上的所述光阻层，保留所述第二区域上的部分光阻层；

进行等离子掺杂处理，使得所述第一区域的所述第二金属氧化物半导体层被导体化。

可选地，所述进行等离子掺杂处理，使得所述第一区域的所述第二金属氧化物半导体层被导体化的步骤之后，还包括：

进行第二次蚀刻，去除所述第二区域上保留的部分光阻层。

可选地，所述遮光层为有机或无机遮光材料。

可选地，所述在所述基板上依次沉积和图案化形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层的步骤包括：

在所述基板上涂布遮光光阻层，图案化后在所述基板上形成遮光层；

在所述遮光层上沉积缓冲层、沉积和图案化第一金属氧化物半导体层；