[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上依次沉积和图案化形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层，包括：在所述基板上涂布遮光光阻层，图案化后在所述基板上形成遮光层；在所述遮光层上沉积缓冲层、沉积和图案化第一金属氧化物半导体层；栅极绝缘层以及栅极层的沉积和图案化，而所述第一金属氧化物半导体层部分暴露于栅极绝缘层和栅极层之外；暴露的第一金属氧化物半导体层导体化处理；介电层的沉积和图案化；源极和漏极层的沉积和图案化；一层或多层保护层的沉积和图案化，以在所述基板上依次形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层；所述暴露的第一金属氧化物半导体层的一部分与所述源极连接，一部分与所述漏极连接；所述源极与所述遮光层连接；

在所述保护层上沉积和图案化形成第二金属氧化物半导体层，所述第二金属氧化物半导体层包括覆盖所述源极的第一区域和覆盖所述漏极、所述栅极的第二区域，所述第一区域与所述源极直接接触，对所述第一区域导体化处理，导体化处理的所述第一区域为像素电极，则不再制作像素电极，从而减少了制作像素电极的制作工序；

其中，所述在所述保护层上沉积和图案化形成第二金属氧化物半导体层，所述第二金属氧化物半导体层包括覆盖所述源极的第一区域和覆盖所述漏极、所述栅极的第二区域，所述第一区域与所述源极直接接触，对所述第一区域导体化处理，导体化处理的所述第一区域为像素电极的步骤包括：

在所述保护层上涂布所述第二金属氧化物半导体层，图案化所述第二金属氧化物半导体层，形成覆盖所述源极的第一区域和覆盖所述漏极、所述栅极的第二区域，所述第一区域与所述源极直接接触；所述第二金属氧化物半导体层为IGZO；

在所述图案化后的所述第二金属氧化物半导体层上形成光阻层，其中所述光阻层在所述第二金属氧化物半导体层对应于所述像素电极的第一区域的厚度为第一厚度；在对应于非像素电极的第二区域的厚度为第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度；

进行第一次蚀刻，去除所述第一区域上的所述光阻层，保留所述第二区域上的部分所述光阻层；从而在所述第二区域覆盖有光阻的情况下，对所述第一区域暴露出来的IGZO做导体化处理，不会对所述第二区域对应的漏极、栅极和保护层产生破坏，又能完成IGZO部分的导体化处理；

进行等离子掺杂处理，使得所述第一区域的所述第二金属氧化物半导体层被导体化；

进行第二次蚀刻，去除所述第二区域上保留的部分所述光阻层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述遮光层为有机或无机遮光材料。

3.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制作方法制作而成。

4.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求3所述的阵列基板。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括：与所述阵列基板对向设置的对向基板，以及填充于所述阵列基板和所述对向基板之间的液晶层。