[发明专利]一种硫化钴纳米片阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201910047335.1 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109529887A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 郝秋艳;李士云;刘辉 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | B01J27/043 | 分类号： | B01J27/043;C25B1/00;C25B11/06;C01G51/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300401 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种硫化钴纳米片阵列的制备方法。该方法包括以下步骤：将三乙二醇和巯基乙醇按体积比10∶1溶解得到混合溶剂，然后将混合溶剂转移到三口瓶中，随后将1*3cm2的泡沫钴浸入到三口瓶中，随后加热三口瓶直至160℃，保温20min，然后关掉加热装置，使三口瓶冷却到室温，得到硫化钴纳米片阵列。本发明采用混合升温的方法在钴泡沫上原位制备了硫化钴纳米片阵列，在电流密度是10mA/cm2时，它的OER过电势是320mV。此外，本发明工艺简易，低成本，并且重复率以及材料利用率都很高，而且还可以大规模制备，是一个很好的硫化钴纳米片阵列的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片阵列 硫化钴 三口瓶 制备 混合溶剂 材料利用率 浸入 醇和巯基 加热装置 原位制备 制备工艺 低成本 过电势 泡沫钴 体积比 重复率 乙醇 加热 保温 冷却 溶解 简易 | ||
【主权项】：
1.一种硫化钴纳米片阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)配置混合溶剂将三乙二醇和巯基乙醇按一定体积比溶解成混合溶剂，随后将溶剂转移到三口瓶中。(2)制备泡沫钴负载的硫化钴纳米片阵列将1*3cm2的泡沫钴浸入到步骤(1)中配好的混合溶剂中，随后加热三口瓶直至120‑200℃，保温10‑30min，然后关掉加热装置，使三口瓶冷却到室温，得到硫化钴纳米片阵列。
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