[发明专利]一种硫化钴纳米片阵列的制备方法

权利要求书

1.一种硫化钴纳米片阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：

(1)配置混合溶剂

将三乙二醇和巯基乙醇按一定体积比溶解成混合溶剂，随后将溶剂转移到三口瓶中。

(2)制备泡沫钴负载的硫化钴纳米片阵列

将1*3cm²的泡沫钴浸入到步骤(1)中配好的混合溶剂中，随后加热三口瓶直至120-200℃，保温10-30min，然后关掉加热装置，使三口瓶冷却到室温，得到硫化钴纳米片阵列。

2.如权利要求1所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述泡沫钴的纯度为90％，密度为0.63g/cm³，孔隙率为95％，厚度为0.6-1.5mm。泡沫钴分别在盐酸、去离子水和无水乙醇中超声清洗15min。

3.如权利要求1所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，三乙二醇和巯基乙醇的体积比为10∶1。

4.如权利要求1所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，加热温度为160℃，保温时间为20min，制备出硫化钴纳米片阵列，纳米片的厚度为80-130nm，纳米片的大小为4.2-5.4μm。

5.如权利要求1所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，加热温度为120℃，保温时间为20min，制备出硫化钴纳米片阵列，硫化钴纳米片的厚度为180-210nm，纳米片的大小为1.6-2.4μm。

6.如权利要求1所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，加热温度为200℃，保温时间为20min，制备出硫化钴纳米片阵列，纳米片的厚度为135-158nm，纳米片的大小为2.8-3.4μm。

7.如权利要求1所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，加热温度为160℃，保温时间为10min，制备出硫化钴纳米片阵列，纳米片的厚度为145-170nm，纳米片的大小为3.5-4.6μm。

8.如权利要求1所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，加热温度为160℃，保温时间为30min，制备出硫化钴纳米片阵列，纳米片的厚度为160-182nm，纳米片的大小为2.5-3.6μm。

9.如权利要求1-8任一项所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法在电催化中的应用，其特征在于，在电流密度是10mA/cm²时，硫化钴纳米片阵列的过电势为320-350mV。

10.如权利要求1-8任一项所述的硫化钴纳米片阵列的制备方法在电催化中的应用，其特征在于，该方法制备得到的硫化钴纳米片阵列可降低OER过电势20-100mV。