[发明专利]一种降低Mg2有效

专利信息
申请号: 201910044480.4 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN109830593B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 陈少平;陈彦佐;樊文浩;李蓉;王文先;吴玉程;孟庆森 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34;H01L35/18
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 任林芳
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属热电器件制备和连接件技术领域,提供一种降低Mg2Si基热电材料与电极连接界面接触电阻的方法,在界面处构建缺陷的化学势平衡,减小界面两侧镁原子浓度梯度,实现降低其界面接触电阻的目的。控制热电材料Mg2+xSi1‑yBiy(0≤x≤0.1,0≤y≤0.01)与电极材料Mg36+zSi15Ni50(94≤z≤100)中的Mg含量调控本征点缺陷浓度,在外加电场和压力场的耦合作用下,在实现热电材料和电极材料致密化的同时,同步实现二者之间的扩散反应而形成连接。通过构建热电材料和电极材料中的Mg平衡,减小热电接头界面两侧Mg原子浓度梯度,降低连接界面接触电阻,提高界面稳定性。
搜索关键词: 一种 降低 mg base sub
【主权项】:
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