[发明专利]一种降低Mg2

权利要求书

1.一种降低Mg₂Si基热电材料与电极连接界面接触电阻的方法，其特征在于：控制热电材料Mg_2+xSi_1-yBi_y 0≤x≤0.1,0≤y≤0.01与电极材料Mg_36+zSi₁₅Ni₅₀ 94≤z≤100中的Mg含量调控本征点缺陷浓度，在外加电场和压力场的耦合作用下，在实现热电材料和电极材料致密化的同时，同步实现二者之间的扩散反应而形成连接；具体步骤如下：

（1）混合原料：将颗粒度小于100nm，纯度≥99.5%的Mg粉、Si粉和Bi粉按照化学计量比称量并充分混合后得到成分为Mg_2+xSi_1-yBi_y 0≤x≤0.1, 0≤y≤0.01的粉体1；将颗粒度小于100nm，纯度≥99.5%的Mg粉、Si粉和Ni粉按照化学计量比称量并充分混合后得到成分为Mg_36+zSi₁₅Ni₅₀ 94≤z≤100的粉体2；

（2）粉体装入模具：将粉体2装入石墨模具中，冷压制50-60%理论密度；再将粉体1置于粉体2上方，再次冷压至50-60%致密度备用；

（3）烧结连接：将装有粉体的石墨模具放入热压炉中进行烧结连接，首先预压2.5-5MPa，待炉中真空度抽到高于20Pa后，充入99.999%的氩气至0.05MPa，再通入脉冲电流以50-100℃/min的加热速率匀速升温，粉体升温至600-630℃保温2-5min，同时将压力提升至40-60MPa；保温结束后，将烧结温度升至700-750℃，保温15-20min；然后以15-20℃/min的速率均匀降温至400℃，再以10-12℃/min匀速降温至≤250℃，随后卸压冷却，形成热电接头。

2.根据权利要求1所述的一种降低Mg₂Si基热电材料与电极连接界面接触电阻的方法，其特征在于：所述热电材料为Mg_2+xSi_1-yBi_y 0≤x≤0.1,y=0.01。