[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法有效

专利信息
申请号: 201910037872.8 申请日: 2019-01-15
公开(公告)号: CN110752136B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 徐浩;内田丈滋;中元茂;福地功祐;井上智己 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/3065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 高颖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法,即使不改变所期望的工艺条件也能提升等离子点火性,抑制给被处理物的处理后尺寸带来影响。等离子处理装置(100)具备:处理室(114);产生微波并投射到处理室(114)内的磁控管(105);配置于处理室(114)内并放置晶片(300)的电极;产生用于使所述电极静电吸附晶片(300)的电位的静电吸附电源(112);将工艺气体提供到处理室(114)内的工艺气体提供源(118);和等离子点火促进装置,所述等离子点火促进装置是将经过脉冲调制的紫外线照射到处理室(114)内的紫外线光源(102、115)。
搜索关键词: 等离子 处理 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种等离子处理装置,具备:/n处理室,对样品进行等离子处理;/n高频电源,提供用于生成等离子的高频电力;/n样品台,载置所述样品;和/n紫外线光源,照射紫外线,/n所述等离子处理装置的特征在于,/n还具备控制部,其控制所述紫外线光源,使得在将所述高频电力提供到所述处理室内之前,将经过脉冲调制的紫外线照射到所述处理室内。/n
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