[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

说明书

本发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法，即使不改变所期望的工艺条件也能提升等离子点火性，抑制给被处理物的处理后尺寸带来影响。等离子处理装置(100)具备：处理室(114)；产生微波并投射到处理室(114)内的磁控管(105)；配置于处理室(114)内并放置晶片(300)的电极；产生用于使所述电极静电吸附晶片(300)的电位的静电吸附电源(112)；将工艺气体提供到处理室(114)内的工艺气体提供源(118)；和等离子点火促进装置，所述等离子点火促进装置是将经过脉冲调制的紫外线照射到处理室(114)内的紫外线光源(102、115)。

技术领域

本发明涉及等离子处理装置以及等离子处理方法。

背景技术

近年来，半导体器件等制造工艺中的设计规则日益严格化，对制造物要求确保更高的尺寸精度。例如，在低温气体等离子中进行的蚀刻中，为了提高蚀刻的均匀性而要求降低等离子密度。为了降低等离子密度，有降低气体压力的方法、降低微波功率等的方法，但不管哪种方法，都存在等离子点火困难的可能。

与此相对，在专利文献1中公开了对处理室同微波一起同时提供紫外线的半导体制造装置。在相关的半导体制造装置中，提供的紫外线为了激发等离子中的原子、分子来提高其能量起作用，微波发挥维持等离子的功能。因此，能提升等离子点火性，并能提升处理速率。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开平6-349776号公报

但是，在相关的现有技术中，由于将紫外线连续对晶片进行照射而晶片的温度上升，存在影响到加工尺寸的可能性。

发明内容

本发明鉴于上述现有技术的课题而提出，其目的在于，提供等离子处理装置以及等离子处理方法，不改变所期望的工艺条件就能提升等离子点火性并抑制给被处理物的处理后尺寸带来影响。

为了解决上述课题，代表性的本发明的等离子处理装置之一具备：处理室，对样品进行等离子处理；高频电源，提供用于生成等离子的高频电力；样品台，载置所述样品；和紫外线光源，照射紫外线，该等离子处理装置还具备控制部，其控制所述紫外线光源，使得在将所述高频电力提供到所述处理室内之前，将经过脉冲调制的紫外线照射到所述处理室内。

另外，代表性的本发明的等离子处理装置之一具备：处理室，对样品进行等离子处理；高频电源，提供用于生成等离子的高频电力；样品台，载置所述样品；和紫外线光源，照射紫外线，该等离子处理装置还具备控制部，其控制所述高频电源和所述紫外线光源，使得将所述高频电力提供到所述处理室内，并使经过脉冲调制的紫外线照射到所述处理室内。

另外，代表性的本发明的等离子处理方法之一使用通过高频电力生成的等离子来在处理室内对样品进行处理，该等离子处理方法以如下方式来实现，即，通过在将所述高频电力提供到所述处理室内之前，使经过脉冲调制的紫外线照射到所述处理室内来生成等离子。

发明效果

根据本发明，能提供等离子处理装置以及等离子处理方法，不改变所期望的工艺条件就能提升等离子点火性并抑制给被处理物的处理后尺寸带来影响。

上述以外的课题、结构以及效果通过以下的实施方式的说明而变得明确。

附图说明

图1是微波ECR等离子处理装置的简要结构图。

图2是比较脉冲紫外线和连续紫外线的持续时间而示出的图，在横轴取时间来示出。

图3是表示在样品台载置晶片并施加静电吸附电压时的介电分离状况的简要图。

图4是晶片的顶视图，表示来自脉冲紫外线光源的紫外线照射位置和晶片上带电分布状况。