[发明专利]封装薄膜及其制备方法、封装结构及其制备方法在审
| 申请号: | 201910034074.X | 申请日: | 2019-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN109755411A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
| 发明(设计)人: | 谷文翠;卢珂鑫;李伟伟;刘兆平 | 申请(专利权)人: | 宁波石墨烯创新中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 侯小锋 |
| 地址: | 315000 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本申请提供一种封装薄膜及其制备方法、封装结构及其制备方法,属于功能性材料及光电技术领域。封装薄膜包括基材、第一石墨烯层和氟化石墨烯层,基材的一表面上为第一石墨烯层,基材的背离第一石墨烯层的表面上为氟化石墨烯层。封装薄膜的制备方法,包括如下步骤:在基材的一表面形成第一石墨烯层;在基材的背离第一石墨烯层的表面形成氟化石墨烯层。封装结构,包括器件和封装薄膜,封装薄膜封装器件。封装结构的制备方法,包括如下步骤:在器材的一表面形成第一石墨烯层;在器材的背离第一石墨烯层的表面形成氟化石墨烯层。此封装结构使用上述封装薄膜,具有优良的阻隔性能,且稳定性好,能够对柔性器件进行封装。 | ||
| 搜索关键词: | 封装薄膜 石墨烯层 制备 封装结构 基材 表面形成 氟化石墨 背离 光电技术领域 功能性材料 器材 封装器件 柔性器件 阻隔性能 封装 申请 | ||
【主权项】:
1.一种封装薄膜,其特征在于,包括基材、第一石墨烯层和氟化石墨烯层,所述基材的一表面上为所述第一石墨烯层,所述基材的背离所述第一石墨烯层的表面上为所述氟化石墨烯层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波石墨烯创新中心有限公司,未经宁波石墨烯创新中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910034074.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





