[发明专利]封装薄膜及其制备方法、封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910034074.X 申请日: 2019-01-14
公开(公告)号: CN109755411A 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 谷文翠;卢珂鑫;李伟伟;刘兆平 申请(专利权)人: 宁波石墨烯创新中心有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 侯小锋
地址: 315000 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请提供一种封装薄膜及其制备方法、封装结构及其制备方法,属于功能性材料及光电技术领域。封装薄膜包括基材、第一石墨烯层和氟化石墨烯层,基材的一表面上为第一石墨烯层,基材的背离第一石墨烯层的表面上为氟化石墨烯层。封装薄膜的制备方法,包括如下步骤:在基材的一表面形成第一石墨烯层;在基材的背离第一石墨烯层的表面形成氟化石墨烯层。封装结构,包括器件和封装薄膜,封装薄膜封装器件。封装结构的制备方法,包括如下步骤:在器材的一表面形成第一石墨烯层;在器材的背离第一石墨烯层的表面形成氟化石墨烯层。此封装结构使用上述封装薄膜,具有优良的阻隔性能,且稳定性好,能够对柔性器件进行封装。
搜索关键词: 封装薄膜 石墨烯层 制备 封装结构 基材 表面形成 氟化石墨 背离 光电技术领域 功能性材料 器材 封装器件 柔性器件 阻隔性能 封装 申请
【主权项】:
1.一种封装薄膜,其特征在于,包括基材、第一石墨烯层和氟化石墨烯层,所述基材的一表面上为所述第一石墨烯层,所述基材的背离所述第一石墨烯层的表面上为所述氟化石墨烯层。
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