[发明专利]封装薄膜及其制备方法、封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种封装薄膜，其特征在于，包括基材、第一石墨烯层和氟化石墨烯层，所述基材的一表面上为所述第一石墨烯层，所述基材的背离所述第一石墨烯层的表面上为所述氟化石墨烯层。

2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于，所述封装薄膜还包括石墨烯改性层，所述基材的背离所述氟化石墨烯层的表面上为石墨烯改性层，所述石墨烯改性层的背离所述基材的表面上为所述第一石墨烯层。

3.根据权利要求2所述的封装薄膜，其特征在于，所述第一石墨烯层的厚度为0.5-50nm，所述石墨烯改性层的厚度为1-20μm，所述氟化石墨烯层的厚度为0.5-20nm；

可选的，所述第一石墨烯层的厚度为0.5-3nm，所述石墨烯改性层的厚度为2-5μm，所述氟化石墨烯层的厚度为1-5nm。

4.权利要求1-3任一项所述的封装薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基材的一表面形成第一石墨烯层；

在基材的背离所述第一石墨烯层的表面形成氟化石墨烯层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在基材的背离所述第一石墨烯层的表面形成氟化石墨烯层，包括：

在所述基材的背离所述第一石墨烯层的表面形成第二石墨烯层，在所述第二石墨烯层的表面加入氟化剂形成氟化石墨烯层；

可选的，在所述第二石墨烯层的表面加入氟化剂和催化剂形成氟化石墨烯层；

可选的，所述氟化剂包括SF₄、(CH₃)₄NF、(C₄H₉)₄NF和(CH₃)₄NHF₂中的一种或多种；

可选的，所述催化剂为金属氟化物，可选的，所述催化剂包括LiF和/或AlF₃。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在基材的背离所述氟化石墨烯层的表面形成石墨烯改性层，在所述石墨烯改性层的背离所述基材的表面形成所述第一石墨烯层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在基材的背离所述氟化石墨烯层的表面形成石墨烯改性层，包括：

制备石墨烯分散液；

在所述石墨烯分散液内加入乳液形成石墨烯复合胶乳；

将所述石墨烯复合乳胶设置在所述基材的背离所述氟化石墨烯层的表面，干燥得到所述石墨烯改性层。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在基材的背离所述氟化石墨烯层的表面形成石墨烯改性层，包括：

制备氧化石墨烯分散液；

在所述氧化石墨烯分散液内加入乳液形成氧化石墨烯复合胶乳；

将所述氧化石墨烯复合乳胶设置在所述基材的背离所述氟化石墨烯层的表面，干燥得到所述氧化石墨烯改性层；

还原所述氧化石墨烯改性层得到所述石墨烯改性层。

9.一种封装结构，其特征在于，包括器件和权利要求1-3任一项所述的封装薄膜，所述封装薄膜封装所述器件。

10.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在器材的一表面形成第一石墨烯层；

在所述器材的背离所述第一石墨烯层的表面形成氟化石墨烯层。