[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法

摘要

半导体器件以及半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括具有阱掺杂剂的阱结构、包括在阱结构上方层叠的第一层叠结构、第二层叠结构和第三层叠结构的栅极层叠结构以及穿透栅极层叠结构的沟道图案。栅极层叠结构的侧壁在其第一层叠结构和第三层叠结构之间的侧壁中形成有凹槽，使得第一层叠结构和第三层叠结构在与层叠方向垂直的方向上比第二层叠结构突出更多。沟道图案沿着阱结构和栅极层叠结构之间的水平空间的表面延伸。半导体器件还包括沿着沟道图案的外壁延伸的存储器图案、形成在栅极层叠结构的侧壁上的间隔物绝缘图案以及形成在间隔物绝缘图案上的掺杂半导体图案。

主权项

1.一种半导体器件，该半导体器件包括：/n阱结构，该阱结构包含阱掺杂剂；/n栅极层叠结构，该栅极层叠结构包括在所述阱结构上方在第一方向上连续地层叠的第一层叠结构、第二层叠结构和第三层叠结构，该栅极层叠结构包括形成在所述栅极层叠结构的侧壁中的凹槽，其中，所述凹槽被限定在所述第一层叠结构与所述第三层叠结构之间，并且其中，所述第一层叠结构和所述第三层叠结构在垂直于所述第一方向的第二方向上比所述第二层叠结构突出更多；/n沟道图案，该沟道图案穿透所述栅极层叠结构，该沟道图案沿着所述阱结构和所述栅极层叠结构之间的水平空间的表面延伸；/n存储器图案，该存储器图案沿着所述沟道图案的外壁延伸；/n间隔物绝缘图案，该间隔物绝缘图案形成在所述栅极层叠结构的所述侧壁上；以及/n掺杂半导体图案，该掺杂半导体图案形成在所述间隔物绝缘图案上，该掺杂半导体图案朝着所述水平空间延伸以接触所述沟道图案，该掺杂半导体图案包含源极掺杂剂。/n