[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910025952.1 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110047737A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 尹铉喆;朴容臣;金中熙;金芝希;申东准;尹国汉;崔泰燮;黄晶铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露第一掩模层的顶表面。在所述执行期间，下层被蚀刻以在光致抗蚀剂图案之下形成下图案。 | ||
| 搜索关键词： | 掩模层 光致抗蚀剂图案 半导体器件 氮气等离子体处理 蚀刻 光致抗蚀剂层 抗蚀剂图案 蚀刻目标层 蚀刻停止层 抗蚀剂层 顶表面 下层被 衬底 堆叠 下层 制造 照射 图案 辐射 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用所述第一掩模层作为蚀刻停止层的同时对所述光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露所述第一掩模层的顶表面，其中，在所述执行期间，所述下层被蚀刻以在所述光致抗蚀剂图案之下形成下图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
