[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露第一掩模层的顶表面。在所述执行期间，下层被蚀刻以在光致抗蚀剂图案之下形成下图案。

技术领域

发明构思涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及其中使用极紫外(EUV)光刻工艺的制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子工业中广泛使用。半导体器件可以包括用于存储数据的存储器件、用于处理数据的逻辑器件、以及用于同时操作各种功能的混合器件。

随着电子工业的先进发展，逐渐需要半导体器件具有高集成度。因此，制造半导体器件变得困难，因为对限定精细图案的曝光工艺中的工艺余量减少可能存在一些挑战。随着电子工业的先进发展，也越来越多地要求半导体器件具有高速度。已经进行了各种研究以满足对半导体器件中高集成度和/或高速度的要求。

发明内容

发明构思的一些示例实施方式提供了制造半导体器件的方法，在该方法中形成期望的图案。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露第一掩模层的顶表面。在所述执行期间，下层被蚀刻以在光致抗蚀剂图案之下形成下图案。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括：形成栅电极以跨越衬底的第一区域的有源图案；在有源图案中形成杂质区域，该杂质区域与栅电极的一侧相邻；在栅电极上形成导电层；以及图案化导电层，以形成电连接到杂质区域的第一导电图案。图案化导电层包括在导电层上形成光致抗蚀剂层、对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射以形成光致抗蚀剂图案、以及对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理。所述执行包括使用基本上由氮气组成的工艺气体。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成层间电介质层、在层间电介质层中形成开口、以及用导电材料填充开口以形成导电图案。形成开口包括在层间电介质层上形成光致抗蚀剂层、对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射以形成光致抗蚀剂图案、以及对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理。所述执行包括使用基本上由氮气组成的工艺气体。

附图说明

图1至8示出显示了根据发明构思的一些示例实施方式的形成目标图案的方法的剖视图。

图9和10示出根据一比较示例的剖视图。

图11A、12A和13A示出显示了根据发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法的俯视图。

图11B、12B和13B分别示出沿图11A、12A和13A的线I-I'和II-II'截取的剖视图。

图14A、15A、16A、17A和18A示出显示了根据发明构思的一些示例实施方式的制造半导体器件的方法的俯视图。

图14B、15B、16B、17B和18B分别示出沿图14A、15A、16A、17A和18A的线I-I'截取的剖视图。

图14C、15C、16C、17C和18C分别示出沿图14A、15A、16A、17A和18A的线II-II'截取的剖视图。

图14D、15D、16D、17D和18D分别示出沿图14A、15A、16A、17A和18A的线III-III'截取的剖视图。

具体实施方式