[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；

对所述光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射以形成光致抗蚀剂图案；以及

在使用所述第一掩模层作为蚀刻停止层的同时对所述光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露所述第一掩模层的顶表面，

其中，在所述执行期间，所述下层被蚀刻以在所述光致抗蚀剂图案之下形成下图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述照射包括靠近所述光致抗蚀剂图案留下浮渣，以及

所述执行包括去除所述浮渣。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行包括使用电感耦合等离子体源或电容耦合等离子体源中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述下层包括含碳的有机聚合物，以及

其中，在所述执行期间，氮气和所述下层中包含的所述碳反应以产生碳氮化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行包括使用基本上由氮气组成的工艺气体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掩模层包括硅层、硅氧化物层或硅氮化物层中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用所述光致抗蚀剂图案和所述下图案作为第一蚀刻掩模，图案化所述第一掩模层以形成第一掩模图案；以及

使用所述第一掩模图案作为第二蚀刻掩模，图案化所述蚀刻目标层以形成目标图案。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述蚀刻目标层与所述第一掩模层之间形成第二掩模层，

其中，在使用所述第一掩模图案作为所述第二蚀刻掩模的同时，图案化所述蚀刻目标层使所述第二掩模层图案化，以形成第二掩模图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二掩模层包括旋涂硬掩模(SOH)层、旋涂碳(SOC)层或非晶碳层中的至少一个。

10.根据权利要求7所述的方法，其中图案化所述第一掩模层包括执行干蚀刻工艺，

其中所述干蚀刻工艺使用包括SF₆、HBr或BCl3中的至少一种的蚀刻气体。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述目标图案上形成数据存储元件，

其中所述目标图案电连接到所述衬底的有源图案。

12.根据权利要求7所述的方法，在图案化所述蚀刻目标层之前，还包括：

形成栅电极以跨越所述衬底的有源图案；

在所述有源图案的上部上形成与所述栅电极的一侧相邻的源/漏图案；以及

在形成所述目标图案之后，用导电材料填充所述目标图案的开口，以形成导电图案，

其中所述导电图案电连接到所述栅电极和所述源/漏图案中的至少一个。

13.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成栅电极以跨越衬底的第一区域的有源图案；

在所述有源图案中形成杂质区域，所述杂质区域与所述栅电极的一侧相邻；

在所述栅电极上形成导电层；以及

图案化所述导电层以形成电连接到所述杂质区域的第一导电图案，

其中所述图案化包括：

在所述导电层上形成光致抗蚀剂层；

对所述光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及

对所述光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，

其中所述执行包括使用基本上由氮气组成的工艺气体。