[发明专利]成膜方法

摘要

本发明提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的步骤之后，反复执行包括第一步骤和第二步骤的流程，即：第一步骤，在被处理基片的所述图案上形成沉积膜；第二步骤，仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。由此，不论进行成膜的等离子体处理的进展程度如何，都能够使被处理基片上的膜的形成方式相同。

主权项

1.一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极，所述成膜方法的特征在于：在对所述被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的温度调节步骤之后，反复执行包括以下步骤的流程，即：第一步骤，在所述被处理基片的所述图案上形成沉积膜；和第二步骤，仅向所述上部电极供给电力来在所述空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。