[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种被处理基片的处理方法，其中，该被处理基片配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的处理容器内的空间中，且具有按所述被处理基片的主面的多个区域中的每个区域设置的多个加热元件，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极，所述处理方法的特征在于：

在使用所述多个加热元件，对一个所述被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的温度调节步骤之后，反复执行流程，该流程中依次执行以下步骤，即：

向所述空间供给包含前体的材料的第一气体，使该前体吸附于所述被处理基片上所形成的图案的表面的步骤；

产生第二气体的等离子体，并将该等离子体供给到所述前体，在所述被处理基片的所述图案上形成沉积膜的步骤；和

在所述形成沉积膜的步骤之后，在所述被处理基片被载置于所述载置台的状态下，仅向所述上部电极供给电力来在所述空间中产生等离子体，从而除去所述处理容器的内侧表面中的所述上部电极侧的表面上所附着的薄膜的清扫步骤，

所述温度调节步骤使用预先获取的表示所述主面的温度与所述沉积膜的膜厚的对应关系的对应数据，对多个所述区域的每个区域调节该主面的温度，

所述处理方法还包括利用反复执行所述流程而形成的所述沉积膜，来对所述被处理基片进行蚀刻的步骤。

2.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

所述第一气体是氨基硅烷类气体。

3.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

所述第二气体含有氧或氮。

4.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

在所述清扫步骤中，在所述空间中产生第三气体的等离子体，

所述第三气体包含卤化物。

5.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

作为所述第一气体的氨基硅烷类气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。

6.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

作为所述第一气体的氨基硅烷类气体包含具有1～3个氨基的氨基硅烷。

7.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

所述第一气体包含卤化钨。

8.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

所述第一气体包含四氯化钛或者四（二甲氨基）钛。

9.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

所述第一气体包含卤化硼。

10.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

所述第一气体包含供电子性的第一取代基，

所述第二气体包含吸电子性的第二取代基。

11.如权利要求1所述的被处理基片的处理方法，其特征在于：

所述形成沉积膜的步骤通过异氰酸酯与胺的聚合反应或者异氰酸酯与具有羟基的化合物的聚合反应，来形成所述沉积膜。