[发明专利]成膜方法

说明书

本发明提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的步骤之后，反复执行包括第一步骤和第二步骤的流程，即：第一步骤，在被处理基片的所述图案上形成沉积膜；第二步骤，仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。由此，不论进行成膜的等离子体处理的进展程度如何，都能够使被处理基片上的膜的形成方式相同。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种成膜方法。

背景技术

由于伴随电子器件的高集成化而来的微小化，在形成被处理基片上的图案时，要求控制高精度的最小线宽(CD：Critical Dimension，临界尺寸)。作为等离子体蚀刻中的最小线宽改变的主要原因，一般而言，能够举出如下原因：露出于生成有等离子体的处理空间中的等离子体处理装置的构成部件(例如，产生等离子体的处理容器的内壁面或与处理容器连接的各种配管的内壁面等)的表面的状态发生变化。针对这样的等离子体处理装置的构成部件表面的状态变化，人们提出了各种应对的技术(例如参照专利文献1～3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-072625号公报

专利文献2：日本特开2014-053644号公报

专利文献3：日本特开2017-073535号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

在等离子体处理中，处理容器(腔室)内的环境根据等离子体处理的进展而变化，由该环境的变化引起的被处理基片(晶片)的等离子体处理的效果也会变化。例如，在对被处理基片进行成膜的情况下，存在不仅能够对被处理基片形成膜，对处理容器的内壁面也能够形成膜的情况。随着进行成膜的等离子体处理的进展而在处理容器的内壁面形成膜，随之在膜的形成中使用的气体中被吸附于内壁面的部分所占的比例也会变化，伴随该变化，气体中能够到达被处理基片的部分所占的比例也会变化，因此，随着等离子体处理的进展，对被处理基片形成膜的方式也会变化。因此，期望一种不论进行成膜的等离子体处理的进展的程度如何，都能够使对被处理基片形成膜的方式相同的技术。

用于解决问题的技术手段

在一方式中，能够提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法。

该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基片的主面的多个区域中的每一个区域执行了调节该被处理基片的主面的温度的温度调节步骤之后，反复执行包括以下步骤的流程，即：第一步骤，在被处理基片的所述图案上形成沉积膜；和第二步骤，仅向上部电极供给电力来在所述空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。

由于被处理基片的主面的温度而在主面形成的膜的厚度能够变化。然而，在不进行清扫而反复形成沉积膜的情况下，在反复形成沉积膜的期间，与被处理基片的主面的温度对应的膜厚的变化的程度降低，因此，不能发生能够有效地进行被处理基片的主面的温度调节的情况。而在上述成膜方法中，在对被处理基片的主面进行了温度调节后进行沉积膜的形成，每当进行沉积膜的形成，也进行清扫，因此即使反复形成沉积膜，被处理基片的主面的温度调节对于被处理基片的主面上的沉积膜的厚度的控制也能够非常有效地发挥功能。

在一实施方式中，温度调节步骤使用预先获取的表示主面的温度与沉积膜的膜厚的对应关系的对应数据，对多个区域的每一个区域调节该主面的温度。如此，由于使用预先获得的对应数据，因此能够更正确且再现性良好地执行被处理基片的主面的温度的调节。