[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201910019739.X 申请日: 2019-01-09
公开(公告)号: CN110033811B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 荒川贤一 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30;G11C5/14
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 吴志红;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置,实现被选择的存储芯片的动作电压的稳定化。本发明的闪速存储器包含主芯片与至少一个从芯片。主芯片的电荷泵电路的电压输出部连接于主芯片的内部衬垫,从芯片的电荷泵电路的电压输出部连接于从芯片的内部衬垫,主芯片的内部衬垫与从芯片的内部衬垫通过配线而连接。当使主芯片进行动作时,将主芯片的电荷泵电路断开,将从芯片的电荷泵电路导通,且由从芯片的电荷泵电路生成的电压被供给至主芯片。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包含多个存储芯片,所述半导体存储装置的特征在于,各所述存储芯片包括:存储单元阵列;升压电路,被配置为能够基于自外部供给的电压来生成升压后的电压;周边电路,被配置为使用由所述升压电路生成的电压来进行动作;控制部件,被配置为控制所述升压电路;以及内部接口,被配置为提供所述升压电路与其他存储芯片之间的电性连接,所述控制部件被配置为使未被选择的所述存储芯片的所述升压电路进行动作,并将由未被选择的所述存储芯片的所述升压电路生成的所述升压后的电压经由所述内部接口供给至被选择的所述存储芯片。
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