[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包含多个存储芯片，所述半导体存储装置的特征在于，

各所述存储芯片包括：

存储单元阵列；

升压电路，被配置为能够基于自外部供给的电压来生成升压后的电压；

周边电路，被配置为使用由所述升压电路生成的电压来进行动作；

控制部件，被配置为控制所述升压电路；以及

内部接口，被配置为提供所述升压电路与其他存储芯片之间的电性连接，

所述控制部件被配置为使未被选择的所述存储芯片的所述升压电路进行动作，并将由未被选择的所述存储芯片的所述升压电路生成的所述升压后的电压经由所述内部接口供给至被选择的所述存储芯片，

所述升压电路包括并联连接的n组升压电路部分，所述控制部件被配置为使被选择的所述存储芯片的所述n组升压电路部分的一部分进行动作，且使未被选择的所述存储芯片的所述n组升压电路部分的一部分进行动作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述控制部件被配置为使被选择的所述存储芯片的p组所述升压电路部分进行动作，且使未被选择的所述存储芯片的n-p组所述升压电路部分进行动作。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述控制部件被配置为使被选择的所述存储芯片的所述升压电路进行动作的期间比未被选择的所述存储芯片的所述升压电路进行动作的期间短。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述内部接口包含用以使所述多个存储芯片的所述升压电路相互电性连接的内部衬垫。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述内部衬垫是测试用的内部衬垫。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述存储芯片包含搭载有串行外部接口功能的与非型的闪速存储器。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述与非型的闪速存储器包括在使用由所述升压电路生成的所述升压后的电压自所述存储单元阵列进行页面读出的期间，将所读出的页面数据经由输出电路输出至外部的功能。

8.一种半导体存储装置，包含多个存储芯片，其特征在于，

各所述存储芯片包括：

存储单元阵列；

升压电路，被配置为能够基于自外部供给的电压来生成升压后的电压；

周边电路，被配置为使用由所述升压电路生成的电压来进行动作；

控制部件，被配置为控制所述升压电路；以及

内部接口，被配置为提供所述升压电路与其他存储芯片之间的电性连接，

所述控制部件被配置为使未被选择的所述存储芯片的所述升压电路进行动作，并将由未被选择的所述存储芯片的所述升压电路生成的所述升压后的电压经由所述内部接口供给至被选择的所述存储芯片，

其中，被选择的所述存储芯片的所述控制部件被配置为执行以下操作的至少一者以稳定化被选择的所述存储芯片中的所述升压后的电压：使被选择的所述存储芯片的所述升压电路进行动作的期间比未被选择的所述存储芯片的所述升压电路进行动作的期间短的第一操作；及

响应于接收到用以自输出电路连续读出页面数据的指令，使被选择的所述存储芯片的所述升压电路不进行动作的第二操作。