[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910018501.5 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110911488A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 山下茉莉子;木下朋子;高桥启太;小松香奈子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体部分；绝缘性部分，设于所述半导体部分的上层部分，划分有源区；第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于所述有源区内，并沿与所述半导体部分的上表面平行的第一方向相互分离；以及设于所述半导体部分的上方的栅极电极。所述栅极电极配置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域的正上方区域以及所述有源区的与所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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