[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第一导电型的半导体部分；

绝缘性部分，设于所述半导体部分的上层部分，划分有源区；

第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于所述有源区内，沿与所述半导体部分的上表面平行的第一方向相互分离；以及

栅极电极，设于所述半导体部分的上方，配置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域的正上方区域、以及所述有源区的与所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述漏极区域与所述绝缘性部分分离。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述源极区域与所述绝缘性部分分离。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述栅极电极具有：

一对第一部分，在所述第一方向上延伸；以及

第二部分，设于所述一对第一部分之间，在所述第二方向上延伸，并连结于所述一对第一部分。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

在所述栅极电极形成有第一开口部，

从上方观察时，在所述第一开口部内配置有所述源极区域以及所述漏极区域中的一方。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

在所述栅极电极形成有与所述第一开口部分离的第二开口部，

从上方观察时，在所述第二开口部内配置有所述源极区域以及所述漏极区域中的另一方。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第一开口部以及所述第二开口部沿所述第一方向交替地排列。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述有源区的除上表面以外的表面被所述第二导电型的半导体区域包围。

9.一种半导体装置，具备：

第一导电型的半导体部分；

绝缘性部件，设于所述半导体部分的上层部分，沿第一方向形成有相互分离的多个第一开口部；

第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于各所述第一开口部内，沿与所述第一方向正交的第二方向交替地排列；以及

栅极电极，设于所述半导体部分的上方，形成有沿所述第一方向以及所述第二方向以矩阵状排列的多个第二开口部，

从上方观察时，在所述第二开口部内配置有所述源极区域或者所述漏极区域，

从上方观察时配置于所述第二开口部内的所述源极区域或者所述漏极区域，与所述绝缘性部件分离。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，

从上方观察时在内部配置有所述源极区域的所述第二开口部内，未配置有所述漏极区域，

从上方观察时在内部配置有所述漏极区域的所述第二开口部内，未配置有所述源极区域，

在所述内部配置有源极区域的第二开口部和在所述内部配置有漏极区域的第二开口部沿所述第二方向交替地排列。