[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体部分；绝缘性部分，设于所述半导体部分的上层部分，划分有源区；第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于所述有源区内，并沿与所述半导体部分的上表面平行的第一方向相互分离；以及设于所述半导体部分的上方的栅极电极。所述栅极电极配置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域的正上方区域以及所述有源区的与所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方区域。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2018－173787号(申请日：2018年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在半导体装置中，有在半导体基板的上层部分形成STI(Shallow TrenchIsolation：浅沟道隔离)而划分出有源区(active area)，并在有源区内设置源极区域以及漏极区域而形成MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)的情况。在这种半导体装置中，期望可靠性的提高。

发明内容

实施方式提供可靠性高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体部分；绝缘性部分，设于所述半导体部分的上层部分，划分出有源区；第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于所述有源区内，并沿与所述半导体部分的上表面平行的第一方向相互分离；以及设于所述半导体部分的上方的栅极电极。所述栅极电极配置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域的正上方区域以及所述有源区的与所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方区域。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图，并且是省略了栅极电极的图。

图3是图1所示的A－A’线的剖面图。

图4是图1所示的B－B’线的剖面图。

图5是图1所示的C－C’线的剖面图。

图6是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面图。

图7是表示比较例的半导体装置的俯视图。

图8是图7所示的D－D’线的剖面图。

图9是表示第二实施方式的半导体装置的俯视图。

图10是表示第二实施方式的半导体装置的俯视图，并且是省略了栅极电极的图。

具体实施方式

(第一实施方式)

以下，对第一实施方式进行说明。

图1是表示本实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示本实施方式的半导体装置的俯视图，并且是省略了栅极电极的图。

图3是图1所示的A－A’线的剖面图。

图4是图1所示的B－B’线的剖面图。

图5是图1所示的C－C’线的剖面图。

如图1～图5所示，在本实施方式的半导体装置1中，设有导电型为p^－型的硅基板10。在硅基板10上设有导电型为p型的外延层11。硅基板10以及外延层11例如是由单晶硅构成的半导体部分12的一部分。