[发明专利]一种在（001）晶面择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列的方法有效
| 申请号： | 201910015675.6 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109594067B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;杨永兴;楼倩;杨文静 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所华东分所 |
| 主分类号： | C23C18/12 | 分类号： | C23C18/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在(001)晶面择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列的方法。该方法包括以下步骤：1)制备Cr掺杂二氧化钛薄膜作为籽晶层；2)将步骤1)制得的Cr掺杂二氧化钛薄膜籽晶层置于生长液中，经水热生长，得到所述择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列。本发明的方法成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造，所制备的二氧化钛纳米线阵列在(001)方向具有良好的择优取向生长和紫外受激发光特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 001 择优取向 生长 金红石 氧化 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在(001)晶面择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备Cr掺杂二氧化钛薄膜作为籽晶层；2)将步骤1)制得的Cr掺杂二氧化钛薄膜籽晶层置于生长液中，经水热生长，得到所述择优取向生长的金红石相二氧化钛纳米线阵列。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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