[发明专利]电子设备、三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201910009016.1 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN109887917B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 夏季;孙坚华;肖莉红;邵明;魏勤香 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子设备、三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括衬底、蚀刻阻挡层、和多层堆叠对，所述三维存储器具有存储区和外围区，所述存储区的所述衬底上设置有所述多层堆叠对，所述外围区的所述衬底用于与外围接触件连接，所述外围区的所述衬底上设置有所述蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层用于阻挡所述衬底被蚀刻。通过设置蚀刻阻挡层，使得在蚀刻多层堆叠对时，蚀刻的液体或者气体被蚀刻阻挡层阻挡，不会蚀刻到外围区的衬底上，从而不会导致衬底表面的氢离子的浓度降低，不会影响外围接触件与衬底的P/N阱结构之间的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括衬底、蚀刻阻挡层、和多层堆叠对，所述三维存储器具有存储区和外围区，所述存储区的所述衬底上设置有所述多层堆叠对，所述外围区的所述衬底用于与外围接触件连接，所述外围区的所述衬底上设置有所述蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层用于阻挡所述衬底被蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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