[发明专利]电子设备、三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括衬底、蚀刻阻挡层、和多层堆叠对，所述三维存储器具有存储区和外围区，所述存储区的所述衬底上设置有所述多层堆叠对，所述外围区的所述衬底用于与外围接触件连接，所述外围区的所述衬底上设置有所述蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层用于阻挡所述衬底被蚀刻；所述衬底具有成型表面，所述成型表面上层叠有第一栅极层，所述第一栅极层设置于所述外围区和所述存储区；所述外围区还设有隔离结构，所述隔离结构沿第二方向贯穿所述第一栅极层，所述隔离结构远离所述多层堆叠对的一侧设有至少部分隔离层，所述隔离层与所述第一栅极层同层，其中，所述第二方向平行于所述衬底的所述成型表面。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述蚀刻阻挡层层叠在所述第一栅极层上，并设置于所述外围区和所述存储区，所述多层堆叠对层叠在所述蚀刻阻挡层上。

3.如权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述多层堆叠对沿第一方向依次缩进形成台阶结构，所述第一方向平行于所述衬底的所述成型表面，所述第二方向与所述第一方向相交；所述蚀刻阻挡层和所述台阶结构上覆盖有氧化覆盖层。

4.如权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述隔离结构还贯穿所述氧化覆盖层和所述蚀刻阻挡层。

5.如权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括阵列共源极，所述阵列共源极沿所述第一方向延伸，所述阵列共源极与所述隔离结构连接且与所述隔离结构的结构相同。

6.如权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，包括沟道和虚拟沟道，所述沟道和所述虚拟沟道贯穿所述多层堆叠对，所述隔离结构与所述沟道或所述虚拟沟道在所述第一方向上的横截面的结构相同。

7.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和如权利要求1至6任一项所述的三维存储器，所述处理器用于向所述三维存储器中写入数据和读取数据。

8.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，所述三维存储器具有存储区和外围区，所述三维存储器的制作方法包括：

提供衬底，所述外围区的所述衬底用于与外围接触件连接；

在所述衬底的成型表面上形成第一栅极层，所述第一栅极层设置于所述外围区和所述存储区；

在所述衬底的所述外围区层叠蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层用于阻挡所述衬底被蚀刻；以及

在所述衬底的所述存储区制作多层堆叠对；

在所述衬底的所述外围区层叠所述蚀刻阻挡层之前，在所述衬底上制作第一牺牲层；

制作隔离结构，所述隔离结构沿第二方向贯穿所述外围区的所述第一牺牲层；其中，所述第二方向平行于所述衬底的所述成型表面；

在制作所述第一栅极层时，去除所述隔离结构靠近所述多层堆叠对一侧的所述第一牺牲层，并形成所述第一栅极层，所述隔离结构远离所述多层堆叠对的一侧的所述第一牺牲层构成隔离层。

9.如权利要求8所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，

在制作所述蚀刻阻挡层时，使得所述蚀刻阻挡层层叠在所述第一栅极层上，并设置于所述外围区和所述存储区；以及

在制作所述多层堆叠对时，将所述多层堆叠对层叠在所述蚀刻阻挡层上。

10.如权利要求9所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在制作所述多层堆叠对时，在所述蚀刻阻挡层背向所述衬底的表面上形成沿第一方向依次缩进的台阶结构；在所述台阶结构和所述蚀刻阻挡层上覆盖氧化覆盖层；其中，所述第一方向平行于所述衬底的所述成型表面，所述第二方向与所述第一方向相交。

11.如权利要求10所述的三维存储器的制作方法，其特征在于，在制作所述隔离结构时，在所述隔离结构远离所述多层堆叠对一侧还形成有所述第一栅极层，所述隔离层设于所述第一栅极层远离所述隔离结构的一侧。