[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

一种存储器及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向排布的擦除区、浮栅区和字线位线区，浮栅区位于擦除区两侧，字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧；在衬底上形成浮栅极结构膜和位在浮栅极结构膜上的介质层，介质层内具有暴露出浮栅区和字线位线区的浮栅极结构膜的第一开口；在第一开口的侧壁形成第一侧墙；在第一开口底部形成控制栅极膜；在第一侧墙侧壁形成第二侧墙；去除第一侧墙、第二侧墙和介质层暴露出的控制栅极膜和浮栅极结构膜，形成浮栅结构层、控制栅极层和第二开口；去除擦除区上的介质层和浮栅极结构层，形成第三开口和浮栅极结构；在第三开口中形成擦除栅极结构。所述方法提高存储器的生产效率。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区，所述存储区包括沿第一方向排布的擦除区、浮栅区和字线位线区，所述浮栅区位于擦除区两侧，且浮栅区与擦除区邻接，所述字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧，且字线位线区与浮栅区邻接；在衬底上形成浮栅极结构膜；在浮栅极结构膜上形成介质层，所述字线位线区的介质层内具有暴露出所述浮栅极结构膜的第一开口，所述第一开口延伸至所述字线位线区两侧的浮栅区内；在第一开口的侧壁表面形成第一侧墙；在第一开口暴露出的底部形成覆盖第一侧墙部分侧壁的控制栅极膜，且所述控制栅极膜表面低于所述介质层表面；在形成控制栅极膜之后，在第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；去除第一侧墙、第二侧墙和介质层暴露出的控制栅极膜和浮栅极结构膜，直至暴露出字线位线区衬底表面，形成浮栅结构层、位于浮栅结构层上的控制栅极层，所述介质层、浮栅结构层和控制栅极层之间具有第二开口；形成第二开口后，去除擦除区上的介质层和擦除区上的浮栅极结构层，形成暴露出擦除区衬底的第三开口以及位于第三开口两侧的浮栅极结构；在第三开口中形成擦除栅极结构。