[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

一种存储器及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向排布的擦除区、浮栅区和字线位线区，浮栅区位于擦除区两侧，字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧；在衬底上形成浮栅极结构膜和位在浮栅极结构膜上的介质层，介质层内具有暴露出浮栅区和字线位线区的浮栅极结构膜的第一开口；在第一开口的侧壁形成第一侧墙；在第一开口底部形成控制栅极膜；在第一侧墙侧壁形成第二侧墙；去除第一侧墙、第二侧墙和介质层暴露出的控制栅极膜和浮栅极结构膜，形成浮栅结构层、控制栅极层和第二开口；去除擦除区上的介质层和浮栅极结构层，形成第三开口和浮栅极结构；在第三开口中形成擦除栅极结构。所述方法提高存储器的生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

快闪存储器是集成电路产品中一种重要的器件。快闪存储器的主要特点是在不加电压的情况下能长期保持存储的信息。快闪存储器具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等优点，因而得到广泛的应用。

快闪存储器分为两种类型：叠栅(stack gate)快闪存储器和分栅(split gate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过擦除的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过擦除效应。

然而，现有技术中快闪存储器形成过程中需要进行多次图形化工艺，工艺复杂，生产效率较低。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种存储器及其形成方法，以提高存储器生产效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区，所述存储区包括沿第一方向排布的擦除区、浮栅区和字线位线区，所述浮栅区位于擦除区两侧，且浮栅区与擦除区邻接，所述字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧，且字线位线区与浮栅区邻接；在衬底上形成浮栅极结构膜；在浮栅极结构膜上形成介质层，所述字线位线区的介质层内具有暴露出所述浮栅极结构膜的第一开口，所述第一开口延伸至所述字线位线区两侧的浮栅区内；在第一开口的侧壁表面形成第一侧墙；在第一开口暴露出的底部形成覆盖第一侧墙部分侧壁的控制栅极膜，且所述控制栅极膜表面低于所述介质层表面；在形成控制栅极膜之后，在第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；去除第一侧墙、第二侧墙和介质层暴露出的控制栅极膜和浮栅极结构膜，直至暴露出字线位线区衬底表面，形成浮栅结构层、位于浮栅结构层上的控制栅极层，所述介质层、浮栅结构层和控制栅极层之间具有第二开口；形成第二开口后，去除擦除区上的介质层和擦除区上的浮栅极结构层，形成暴露出擦除区衬底的第三开口以及位于第三开口两侧的浮栅极结构；在第三开口中形成擦除栅极结构。

可选的，所述介质层的形成方法包括：在浮栅极结构膜上形成介质膜；在介质膜上形成第一图形化层，第一图形化层覆盖擦除区的介质膜，且暴露出浮栅区和字线位线区的介质膜的介质膜；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述介质膜直至暴露出浮栅极结构膜表面，使介质膜形成介质层。

可选的，形成擦除栅极结构后，还包括：在字线位线区衬底表面形成字线结构；所述字线结构的形成方法包括：在第二开口内形成初始字线结构；在擦除栅极结构、第一侧墙、第二侧墙和初始字线结构上形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出部分初始字线结构；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述初始字线结构，直至暴露出部分擦除区衬底表面，形成字线结构。

可选的，形成浮栅极结构和第三开口前，在第二开口内形成初始字线结构。

可选的，形成第二开口后，形成初始字线结构前，还包括：在所述第二开口内形成第三侧墙，所述第三侧墙覆盖控制栅极层和浮栅极结构层侧壁。

可选的，所述衬底还包括逻辑区，所述逻辑区在第一方向与器件区邻接；在衬底存储区和衬底逻辑区上形成浮栅极结构膜。