[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储区，所述存储区包括沿第一方向排布的擦除区、浮栅区和字线位线区，所述浮栅区位于擦除区两侧，且浮栅区与擦除区邻接，所述字线位线区位于擦除区和浮栅区两侧，且字线位线区与浮栅区邻接；

在衬底上形成浮栅极结构膜；

在浮栅极结构膜上形成介质层，所述字线位线区的介质层内具有暴露出所述浮栅极结构膜的第一开口，所述第一开口延伸至所述字线位线区两侧的浮栅区内；

在第一开口的侧壁表面形成第一侧墙；

在第一开口暴露出的底部形成覆盖第一侧墙部分侧壁的控制栅极膜，且所述控制栅极膜表面低于所述介质层表面；

在形成控制栅极膜之后，在第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；

所述第二侧墙的形成方法包括：在控制栅极膜上和介质层上形成初始第二侧墙材料层，所述初始第二侧墙材料层覆盖第一侧墙顶部和侧壁；回刻蚀所述初始第二侧墙材料层，直至暴露出介质层表面和字线位线区的控制栅极膜表面，在第一侧墙侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙位于浮栅区的控制栅极膜上；

去除第一侧墙、第二侧墙和介质层暴露出的控制栅极膜和浮栅极结构膜，直至暴露出字线位线区衬底表面，形成浮栅结构层、位于浮栅结构层上的控制栅极层，所述介质层、浮栅结构层和控制栅极层之间具有第二开口；

形成第二开口后，去除擦除区上的介质层和擦除区上的浮栅极结构层，形成暴露出擦除区衬底的第三开口以及位于第三开口两侧的浮栅极结构；

在第三开口中形成擦除栅极结构。

2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述介质层的形成方法包括：在浮栅极结构膜上形成介质膜；在介质膜上形成第一图形化层，第一图形化层覆盖擦除区的介质膜，且暴露出浮栅区和字线位线区的介质膜；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述介质膜直至暴露出浮栅极结构膜表面，使介质膜形成介质层。

3.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成擦除栅极结构后，还包括：在字线位线区衬底表面形成字线结构；所述字线结构的形成方法包括：在第二开口内形成初始字线结构；在擦除栅极结构、第一侧墙、第二侧墙和初始字线结构上形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出部分初始字线结构；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述初始字线结构，直至暴露出部分擦除区衬底表面，形成字线结构。

4.根据权利要求3所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成浮栅极结构和第三开口前，在第二开口内形成初始字线结构。

5.根据权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成第二开口后，形成初始字线结构前，还包括：在所述第二开口内形成第三侧墙，所述第三侧墙覆盖控制栅极层和浮栅极结构层侧壁。

6.根据权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述衬底还包括逻辑区，所述逻辑区在第一方向与器件区邻接；在衬底存储区和衬底逻辑区上形成浮栅极结构膜；

形成浮栅极结构和第三开口的方法包括：在初始字线结构、第一侧墙、第二侧墙和逻辑区介质层上形成第三图形化层，所述第三图形化层暴露出器件区介质层表面，以所述第三图形化层为掩膜，刻蚀去除擦除区上的介质层、第二引线区上的介质层、擦除区上的浮栅极结构层和第二引线区上的浮栅极结构层，直至暴露出擦除区和第二引线区的衬底表面，形成所述浮栅极结构和第三开口，所述第三开口暴露出浮栅极结构侧壁。