[发明专利]激光退火方法和阵列基板有效
申请号: | 201910001827.7 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109742024B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 关峰;王治;许晨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L27/12 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种激光退火方法和阵列基板,属于显示技术领域。所述方法包括:提供衬底基板;在至少一个非晶硅图案远离衬底基板的一侧设置掩膜组件,掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列;通过激光光源从掩膜组件远离非晶硅图案的一侧照射掩膜组件,激光光源发出的激光透过掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在至少一个非晶硅图案的指定区域。本发明通过包括掩膜板以及微透镜阵列的掩膜组件来控制激光光源发出的激光,使该激光照射在非晶硅层上的指定区域。限制了进行激光退火的区域,进而缩小了非晶硅层中转化为多晶硅层的面积。解决了相关技术中有源层构成的TFT的漏电流较大的问题。达到了降低有源层构成的TFT的漏电流的效果。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 方法 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种激光退火方法,其特征在于,所述方法包括:提供衬底基板,所述衬底基板上设置有至少一个非晶硅图案;在所述至少一个非晶硅图案远离所述衬底基板的一侧设置掩膜组件,所述掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列;通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件,所述激光光源发出的激光透过所述掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在所述至少一个非晶硅图案的指定区域,以对所述至少一个非晶硅图案的指定区域进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造