[发明专利]激光退火方法和阵列基板

说明书

本发明公开了一种激光退火方法和阵列基板，属于显示技术领域。所述方法包括：提供衬底基板；在至少一个非晶硅图案远离衬底基板的一侧设置掩膜组件，掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；通过激光光源从掩膜组件远离非晶硅图案的一侧照射掩膜组件，激光光源发出的激光透过掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在至少一个非晶硅图案的指定区域。本发明通过包括掩膜板以及微透镜阵列的掩膜组件来控制激光光源发出的激光，使该激光照射在非晶硅层上的指定区域。限制了进行激光退火的区域，进而缩小了非晶硅层中转化为多晶硅层的面积。解决了相关技术中有源层构成的TFT的漏电流较大的问题。达到了降低有源层构成的TFT的漏电流的效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种激光退火方法和阵列基板。

背景技术

显示面板中的薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)通常包括源极、漏极、栅极以及有源层。由迁移率较高的多晶硅来作为有源层的材料能够显著的提高TFT的性能。目前通常通过激光退火技术来形成多晶硅构成的半导体层。

相关技术中的一种激光退火方法中，通过激光扫描整个非晶硅层，以对整个非晶硅层进行退火，使其转变为多晶硅层。

在实现本发明的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：上述激光退火后的有源层构成的TFT的漏电流可能较大。

发明内容

本发明实施例提供了一种激光退火方法和阵列基板，能够解决相关技术中有源层构成的TFT的漏电流较大的问题。所述技术方案如下：

根据本发明的第一方面，提供了一种激光退火方法，所述方法包括：

提供衬底基板，所述衬底基板上设置有至少一个非晶硅图案；

在所述至少一个非晶硅图案远离所述衬底基板的一侧设置掩膜组件，所述掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；

通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件，所述激光光源发出的激光透过所述掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在所述至少一个非晶硅图案的指定区域，以对所述至少一个非晶硅图案的指定区域进行退火。

可选地，所述通过激光光源从所述掩膜组件远离所述非晶硅图案的一侧照射所述掩膜组件之前，所述方法还包括：

根据每个所述非晶硅图案的电学特性，确定每个所述非晶硅图案对应的指定区域。

可选地，所述指定区域为所述非晶硅图案上的一个连续区域。

可选地，所述指定区域包括多个不连续的子区域。

可选地，每个所述子区域的最大长度小于或等于指定晶粒的最小长度，或者，所述每个所述子区域的最大长度小于或等于500纳米。

可选地，所述衬底基板上还设置有源极和漏极，所述非晶硅图案位于所述源极和所述漏极之间，

所述多个不连续的子区域为多个不连续的条状子区域，所述源极和所述漏极的连线的长度方向与每个所述条状子区域的长度方向平行。

可选地，所述掩膜组件中，所述掩膜板位于所述微透镜阵列靠近所述激光光源的一侧。

可选地，所述激光光源发出的激光的波长小于或等于248纳米。

可选地，所述激光光源为氟化氪准分子激光器。

根据本发明的第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括多个有源层，所述多个有源层包括通过第一方面所述方法进行退火后得到的有源层。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：